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2022-04-01 阅读(2348)

第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件...

2021-12-07 阅读(777)

氮化镓材料禁带宽度较大，是宽禁带半导体之一，被广泛用作微波功率晶体管和蓝色光发光器件的生产制造原材料。氮化镓材料的探究与使用是目前全世界...

2021-09-24 阅读(2077)

最近，AlGaN/GaN肖特基二极管（SBD）受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点，因而被业界广泛地认为是下一代功率器...

2021-09-14 阅读(3187)

绝缘栅HEMT器件中除了存在界面态外，栅绝缘层还会在界面引入固定电荷和体电荷，研究表明栅绝缘层与氮化物势垒层之间界面固定电荷密度可以高达10 13...

2021-03-09 阅读(4014)

1. 器件结构与工艺 通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但...

2021-01-13 阅读(6173)

C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。 1 . C - V曲线及载流子浓...

2020-12-16 阅读(2612)

由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频...

2020-11-03 阅读(5813)

1. 栅漏电分析 关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种...

2020-10-27 阅读(3896)

1 . 器件结构与工艺 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示，AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核...

2020-10-21 阅读(3407)

电流崩塌和关态栅漏电一样，是制约GaN基HEMT器件发展的非常重要的因素之一，一方面表现为，在脉冲测试条件下漏极输出电流与直流特性相比大幅减小；另...